半導體的靜電敏感度

2011-07-24 oustor

半導體的靜電敏感度

 

裝置型式

靜電放電敏感度范圍V

裝置型式

靜電放電敏感度范圍V

VMOS

30-1800V

散粒(肖特基)二極管

300-2500

MOSFET

100-200V

薄片電阻(原細)

300-3000

GASFET

100-300V

雙向晶體管

380-7000

EPPROM

100V

ECL(發射極耦合邏輯電路)

500-1500

JFET

140-7000V

SCR(可控硅)

680-1000

SAM

150-1500V

散粒(肖特基)晶體管

1000-2500

OP-AMP

190-2500V

--晶體管邏輯電路

1000-2500

CMOS

250-3000V

 

 

 

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